[发明专利]具有漂移区和背面发射极的半导体装置及制造方法有效
| 申请号： | 201710655822.7 | 申请日： | 2017-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN107689399B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;M.皮潘;D.波比希;P.辛德勒;E.贝西诺巴斯克斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及具有漂移区和背面发射极的半导体装置及制造方法。通过外延而在前侧在底部衬底(105)上形成外延层(106)。从前侧的相反侧，底部衬底(105)的至少一部分被去除，其中底部衬底(105)被完全去除或者剩余底部部分(105a)具有至多20μm的厚度。从前侧的相反侧将第一电荷类型的掺杂物注入到外延层(106)的注入层(138)中。形成与前侧相对的金属漏电极(320)。至少注入层(138)被加热到不高于500℃的温度，其中所述加热仅激活注入层(138)中的注入掺杂物的一部分，并且在加热之后，沿着金属漏电极(320)和第二互补电荷类型的最近掺杂区域之间的最短线的激活掺杂物的积分浓度为至多1.5E13 cm |
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| 搜索关键词： | 具有 漂移 背面 发射极 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：通过外延而在前侧在底部衬底(105)上形成外延层(106)；从前侧的相反侧去除底部衬底(105)的至少一部分，其中底部衬底(105)被完全去除或者剩余底部部分(105a)具有至多20 µm的厚度；从前侧的相反侧将第一电荷类型的掺杂物注入到外延层(106)的注入层(138)中；形成与前侧相对的金属漏电极(320)；以及将至少注入层(138)加热到不高于500℃的温度，其中所述加热仅激活注入层(138)中的注入掺杂物的一部分，并且在加热之后，沿着金属漏电极(320)和第二互补电荷类型的最近掺杂区域之间的最短线的激活掺杂物的积分浓度为至多1.5E13 cm‑2。
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