[发明专利]一种石英晶体振荡驱动电路及其单片集成电路

摘要

本发明涉及一种石英晶体振荡驱动电路及其单片集成电路，其中，所述石英晶体振荡驱动电路由石英晶体、跨阻放大器、可变增益放大器和幅度检测单元构成。本发明中，跨阻放大器检测石英晶体一端的压电感应电流信号并转换为电压信号，再将该信号通过幅度检测单元来控制可变增益放大器的增益，最终使回路工作在稳幅正弦振荡状态；此外，前述石英晶体振荡驱动电路还可以适于进行单片集成，本发明的优点在于整体电路具有结构简单、体积小、功耗低以及适合标准CMOS工艺单片集成的优势。

主权项

1.一种正弦波激励的石英晶体振荡驱动电路，其特征在于，包括石英晶体G1、跨阻放大器U1、可变增益放大器U2、幅度检测单元U3，所述跨阻放大器U1的输入端与所述石英晶体G1的第一端相连接，所述跨阻放大器U1的输出端与幅度检测单元U3的输入端相连接，所述跨阻放大器U1的输出端与所述可变增益放大器U2的第一输入端相连接，跨阻放大器U1、反向放大器U7、衰减网络U6依次相连，衰减网络U6与可变增益放大器U2的第二输入端相连接，所述幅度检测单元U3的输出端与所述可变增益放大器U2的增益控制输入端相连接，所述可变增益放大器U2的输出端与所述石英晶体G1的第二端相连接；/n所述可变增益放大器U2包括第一PMOSFET晶体管M1、第二PMOSFET晶体管M2、第三PMOSFET晶体管M3、第四PMOSFET晶体管M6、第一NMOSFET晶体管M4、第二NMOSFET晶体管M5、第三NMOSFET晶体管M7以及第九电阻R9；其中所述第一PMOSFET晶体管M1的源极接第一电源，栅极作为所述可变增益放大器U2的增益控制输入端，漏极接所述第二PMOSFET晶体管M2的源极以及所述第三PMOSFET晶体管M3的源极；所述第二PMOSFET晶体管M2的栅极作为所述可变增益放大器U2的反相输入端，漏极接所述第一NMOSFET晶体管M4的栅极和漏极；所述第三PMOSFET晶体管M3的栅极作为所述可变增益放大器U2的同相输入端，漏极接所述第二NMOSFET晶体管M5的漏极；所述第一NMOSFET晶体管M4采用二极管接法，其栅极和漏极相连，源极接第二电源；所述第二NMOSFET晶体管M5源极接第二电源，栅极接所述第一NMOSFET晶体管M4的栅极，漏极接所述第四PMOSFET晶体管M6的栅极以及所述第三NMOSFET晶体管M7的栅极；所述第四PMOSFET晶体管M6的源极接第一电源，漏极接所述第三NMOSFET晶体管M7的漏极；所述第三NMOSFET晶体管M7的源极接第二电源，漏极作为所述可变增益放大器U2的输出端；所述第九电阻R9并联接在所述第三NMOSFET晶体管M7的栅极和漏极间。/n