[发明专利]高强度足金材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201710657275.6 | 申请日： | 2017-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN107385266B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 肖萍;周鹏 | 申请（专利权）人： | 深圳市金弘珠宝首饰有限公司 |
| 主分类号： | C22C5/02 | 分类号： | C22C5/02;C22C1/02 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 王仲凯 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市罗湖区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高强度足金材料，包括：In 0.01wt％～0.6wt％；Ga 0.01wt％～0.6wt％；Sn 0.01wt％～0.6wt％；Ge 0～0.6wt％；Co 0～0.6wt％；Ni 0～0.6wt％；所述In、Ga、Sn、Ge、Co和Ni的总含量不超过1wt％；余量的Au。本发明采用的合金元素在黄金中添加量小，且有很好的固溶度，可以和黄金直接熔炼，不需要制备预合金；合金元素成本低，熔炼损耗小，节省生产成本。并且本发明添加的合金元素的熔点普遍低于黄金，且不容易氧化，对熔炼设备的温度和真空度没有特别要求，不需要定制特殊的熔炼和铸造设备，足金材料成型和加工容易，生产投入低。 | ||
| 搜索关键词： | 合金元素 熔炼 制备 熔点 材料成型 熔炼设备 直接熔炼 铸造设备 固溶度 添加量 预合金 生产成本 加工 生产 | ||
【主权项】：
1.一种高强度足金材料，其特征在于，包括：![]()
所述In、Ga、Sn、Ge、Co和Ni的总含量不超过1wt％；余量的Au。
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