[发明专利]一种LED面板及其制作方法

摘要

本发明公开了一种LED面板及其制作方法，属于半导体技术领域。制作方法包括：在衬底上形成若干相互独立的芯片半成品，各个芯片半成品包括依次层叠的氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层，相邻两个芯片半成品之间设有延伸至衬底的隔离槽；通过隔离槽湿法腐蚀芯片半成品，并在芯片半成品从倒圆台变成倒圆锥与衬底分离之前停止；在P型氮化镓层上形成P型电极；将各个P型电极分别固定在设有若干通孔的基板上，各个芯片半成品之间的基板上设有通孔；通过通孔湿法腐蚀芯片半成品，并在芯片半成品与衬底分离时停止；在各个芯片半成品上设置从N型氮化镓层延伸至基板的绝缘层；在绝缘层上设置N型电极连接线。本发明提高了产品良率。

主权项

1.一种LED面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底上形成若干相互独立的芯片半成品，各个所述芯片半成品包括依次层叠在所述衬底上的氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层，相邻两个所述芯片半成品之间设有从所述P型氮化镓层延伸至所述衬底的隔离槽；通过所述隔离槽湿法腐蚀所述芯片半成品，并在所述芯片半成品从倒圆台变成倒圆锥与所述衬底分离之前停止，所述芯片半成品中氮化铝缓冲层的腐蚀速率最快；在各个所述芯片半成品的P型氮化镓层上形成P型电极；将各个所述芯片半成品的P型电极分别固定在设有若干通孔的基板上，各个所述通孔的延伸方向与所述芯片半成品的层叠方向平行，各个所述芯片半成品之间的基板上设有所述通孔；通过所述通孔湿法腐蚀所述芯片半成品，并在所述芯片半成品与所述衬底分离时停止，所述芯片半成品中氮化铝缓冲层的腐蚀速率最快；在各个所述芯片半成品上设置从所述N型氮化镓层延伸至所述基板的绝缘层；在所述绝缘层上设置N型电极连接线，所述N型电极连接线的两端分别与所述N型氮化镓层和所述基板连接。