[发明专利]部分净形状和部分近净形状的碳化硅化学气相沉积

摘要

本发明涉及一种部分净形状和部分近净形状的碳化硅化学气相沉积。一种用于在衬底处理系统中制造具有暴露于等离子体的表面的结构的方法，包括提供具有第一形状的牺牲衬底，将衬底加工成第二形状，所述第二形状具有对应于所述结构的期望最终形状的尺寸，在衬底上沉积材料层，加工材料层的第一选定部分以使材料层内的衬底暴露，去除衬底的剩余部分，以及将材料层的第二选定部分加工成具有期望最终形状的结构，而在处理期间不加工结构的暴露于等离子体的表面。

主权项

一种制造具有在衬底处理系统中暴露于等离子体的表面的结构的方法，该方法包括：提供具有第一形状的牺牲衬底；将所述衬底加工成第二形状，所述第二形状具有对应于所述结构的期望最终形状的尺寸；在所述衬底上沉积材料层；加工所述材料层的第一选定部分以使所述材料层内的所述衬底暴露；去除所述衬底的剩余部分；和将所述材料层的第二选定部分加工成具有所述期望最终形状的结构，而在加工期间不加工所述结构的暴露于等离子体的表面。