[发明专利]半导体装置

摘要

有关实施方式的半导体装置具有第1电极、多个第1区域、多个第2区域、第1导电型的第8半导体区域、第2导电型的第9半导体区域、第1导电型的第10半导体区域、多个第2电极及第3电极。第1区域具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、第2导电型的第4半导体区域及栅极电极。第2区域具有第2导电型的第5半导体区域、第2导电型的第6半导体区域及第1导电型的第7半导体区域。第1区域和第2区域交替地设置。第8半导体区域与多个第1半导体区域电连接。第3电极具有隔着第1绝缘层设在第10半导体区域之上的布线部。

主权项

1.一种半导体装置，具备：第1电极；多个第1区域，上述多个第1区域分别包括：设在上述第1电极之上的第1导电型的第1半导体区域；设在上述第1半导体区域之上的第2导电型的第2半导体区域；设在上述第2半导体区域之上的第1导电型的第3半导体区域；设在上述第3半导体区域之上的第2导电型的第4半导体区域；及设在上述第2半导体区域之上的栅极电极，上述栅极电极在与从上述第1半导体区域朝向上述第2半导体区域的第1方向垂直的第2方向上隔着栅极绝缘层而与上述第3半导体区域面对，上述多个第1区域在上述第2方向及第3方向上相互隔开间隔，上述第3方向与上述第1方向及上述第2方向垂直；多个第2区域，上述多个第2区域在上述第2方向及上述第3方向上相互隔开间隔，上述多个第1区域及上述多个第2区域在上述第2方向上交替地设置，上述多个第2区域分别包括：设在上述第1电极之上的第2导电型的第5半导体区域；设在上述第5半导体区域之上的第2导电型的第6半导体区域；及设在上述第6半导体区域之上的第1导电型的第7半导体区域；第1导电型的第8半导体区域，上述第8半导体区域在上述第3方向上设在上述第1半导体区域彼此之间及上述第5半导体区域彼此之间，上述第8半导体区域与上述多个第1半导体区域电连接：第2导电型的第9半导体区域，设在上述第8半导体区域之上；第1导电型的第10半导体区域，设在上述第9半导体区域之上；多个第2电极，设在上述多个第3半导体区域、上述多个第4半导体区域及上述多个第7半导体区域之上，上述多个第2电极与上述多个第4半导体区域及上述多个第7半导体区域电连接；以及第3电极，隔着第1绝缘层设在上述第10半导体区域之上，上述第3电极包括位于上述第2电极彼此之间的布线部，上述第3电极与上述多个第2电极隔开间隔，上述第3电极与上述多个栅极电极电连接。