[发明专利]处理被处理体的方法

摘要

本发明提供一种用于降低有机膜的蚀刻所使用的掩模的除去对有机膜的侧壁形状造成的影响的技术。一个实施方式的处理被处理体的方法，其中，被处理体包括被蚀刻层、设置在被蚀刻层上的有机膜和设置在有机膜上的掩模，有机膜由第1层和第2层构成，掩模设置在第1层上，第1层设置在第2层上，第2层设置在被蚀刻层上，该方法包括：在收纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成第1气体的等离子体，使用等离子体和掩模对第1层进行蚀刻直至第2层，在第1层的侧面共形地形成保护膜的工序；和在处理容器内，生成第2气体的等离子体，使用等离子体除去掩模的工序。

主权项

一种处理被处理体的方法，该被处理体包括被蚀刻层、设置在该被蚀刻层上的有机膜和设置在该有机膜上的掩模，该有机膜由第1层和第2层构成，该掩模设置在该第1层上，该第1层设置在该第2层上，该第2层设置在该被蚀刻层上，该处理被处理体的方法的特征在于，包括：在收纳有所述被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成第1气体的等离子体，使用该等离子体和所述掩模对所述第1层进行蚀刻直至所述第2层，在通过该蚀刻而形成的该第1层的侧面共形地形成保护膜的工序；和在所述处理容器内，生成第2气体的等离子体，使用该等离子体除去所述掩模的工序，除去所述掩模的所述工序在执行对所述被蚀刻层进行蚀刻的处理前执行。