[发明专利]多驱动引脚集成电路结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710659548.0 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN107689354A | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 余基业;陈文豪;侯元德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例公开了一种集成电路IC结构，包括在驱动引脚层处且定向在驱动引脚方向上的多个驱动引脚。多金属段层阵列中的每层包括定向在层方向上的两个平行的金属段。最低层的层方向与驱动引脚方向垂直，并且每个附加层的层方向与直接位于该附加层下方的层的层方向垂直。IC结构还包括多个通孔阵列，每个通孔阵列包括两个通孔，这两个通孔设置在相应覆盖层的一个或多个金属段与以下一个或多个重叠的位置处直接位于通孔阵列下方的层中的两个金属段和多个驱动引脚中。本发明的实施例还提供了一种形成集成电路结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动 引脚 集成电路 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路IC结构，包括：多个驱动引脚，所述多个驱动引脚中的每个驱动引脚均设置在驱动引脚层处并且定向在共同的驱动引脚方向上；多金属段层阵列，所述多金属段层阵列中的每层均包括定向在层方向上的两个平行的金属段，其中，所述多金属层段阵列中的最底层的层方向与所述驱动引脚方向垂直，和所述多金属段层阵列中的每个附加层的层方向均与直接位于所述多金属段层阵列的所述附加层下方的所述多金属段层阵列中的一层的层方向垂直；以及多个通孔阵列，所述多个通孔阵列中的每个通孔阵列均包括两个通孔，所述两个通孔设置在所述多金属段层阵列中的相应覆盖层的一个或多个金属段与以下的一个或多个重叠的位置处：所述多金属段层阵列中直接位于所述通孔阵列下方的一层中的两个金属段，和所述多个驱动引脚。
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