[发明专利]用污秽的温度、含水量检测绝缘子的污秽状态的方法在审
申请号: | 201710659806.5 | 申请日: | 2017-08-04 |
公开(公告)号: | CN107462817A | 公开(公告)日: | 2017-12-12 |
发明(设计)人: | 钱克猷;江传桂 | 申请(专利权)人: | 钱克猷;江传桂 |
主分类号: | G01R31/12 | 分类号: | G01R31/12 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人: | 邱启旺 |
地址: | 310020 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种用污秽的温度、含水量检测绝缘子的污秽状态的方法。在线测定污层温度T、污层含水量w、污层中截面a的污秽电流Ia、在绝缘子场域中截面c的电流Ic以及通过截面a电流与绝缘子电压U的‘等效转移导纳’ya、流过截面c的电流与绝缘子电压U的‘等效转移导纳’yc,来确定绝缘子当前实测的表面电导率σ。再通过只与污层温度、污层含水量两个因素有关的‘电导率转换函数’,将当前实测的绝缘子表面电导率σ,转换为标准测量状态下的表面电导率σs,进一步用σs与绝缘子清洗临界表面电导率σ0的比值D=σs/σ0,来表征绝缘子的污秽状态。 | ||
搜索关键词: | 污秽 温度 含水量 检测 绝缘子 状态 方法 | ||
【主权项】:
一种用污秽的温度、含水量检测绝缘子的污秽状态的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)出厂前输入计算需要的函数或常数:σ=fσ(ya)、β=β1(T,w)、gV=fg(ya)、yc=fyc(σ);其中,σ=fσ(ya)表示污层表面电导率σ关于等效转移导纳ya的函数,yc=fyc(σ)表示等效转移导纳yc关于表面电导率σ的函数,β=β1(T,w)表示电导率转换函数β关于污层温度T和污层含水量w的函数,gV=fg(ya)表示等效电导gV关于等效转移导纳ya的函数,ya为由场域中截面a中的电流Ia与绝缘子电压U的比值所确定的等效转移导纳,与污层的表面电导率σ有一一对应关系,yc为由场域中截面c中的电流Ic与绝缘子电压U的比值所确定的等效转移导纳,与污层的表面电导率σ有一一对应关系;截面a和截面c是任意的两个不同的截面。(2)在线测定污层温度T、污层含水量w、流过截面a的电流Ia、流过截面c的电流Ic;(3)将ya用Ia*fyc(σ)/Ic表示,并代入函数σ=fσ(ya)中,得σ=fσ(Ia*fyc(σ)/Ic)方程,进一步解该方程得绝缘子当前实测的表面电导率σ。(4)用污层温度T、污层含水量w查函数β=β1(T,w)得电导率转换函数β值。(5)将步骤(3)获得的σ除以电导率转换函数β,就可以得到在标准测量条件(Ts,ws)下的绝缘子污层表面电导率σs;其中ws为最大含水量,即污层流淌之前的含水量;Ts为一个规定值,在(Ts,ws)下绝缘子表面电导率有最大值。(6)设定一个标准测量条件(Ts,ws)下绝缘子清洗临界表面电导率σ0。(7)绝缘子污秽状态的检测值D为D=σs/σ0,用D或D的平均值来表征绝缘子的污秽状态。
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