[发明专利]基于SRAM的可自毁验证电路在审
| 申请号： | 201710660043.6 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN107895587A | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 吕士濂 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/16;G11C16/24;G11C29/38 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露公开一种基于SRAM的可自毁验证电路。本揭露还提供一种存储器装置，其包括存储器位阵列，其包含多个存储器位，其中各存储器位经配置以在所述存储器装置被电力开启时呈现初始逻辑状态；以及擦除电路，其耦合到所述存储器位阵列，且经配置以更改所述存储器位的至少一者的固有特性以更改所述至少一个存储器位的所述初始逻辑状态。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 sram 自毁 验证 电路 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，其包含：存储器位阵列，其包含多个存储器位，其中各存储器位经配置以在所述存储器装置被电力开启时呈现初始逻辑状态；以及擦除电路，其耦合到所述存储器位阵列，且经配置以更改所述存储器位的至少一者的固有特性以更改所述至少一个存储器位的所述初始逻辑状态。
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