[发明专利]制造一半导体元件的方法及其系统有效
| 申请号： | 201710660773.6 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN107689322B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 訾安仁;郑雅如;张庆裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 制造一半导体元件的方法。一光致抗蚀剂层涂布在一晶片上，该光致抗蚀剂层包含一含金属材料。对该光致抗蚀剂层进行极紫外线(extreme ultraviolet，EUV)光刻工艺，以形成一图案化光致抗蚀剂。以一洗净液洗净该晶片，以移除该含金属材料。该洗净液包含一溶剂，该溶剂的汉森溶解度参数(Hansen solubility parameters)delta D在13至25之间、delta P在3至25之间、及delta H在4至30之间。该溶剂含有一酸解离常数小于4的酸，或是含有一酸解离常数大于9的碱。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 一半 导体 元件 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
一种制造一半导体元件的方法，包括：使用一溶剂以冲洗一晶片，其中，该晶片因该溶剂冲洗致增加疏水性；在以该溶剂冲洗该晶片后，形成一含金属材料在该晶片之上；进行一次或多次光刻工艺，且至少部分使用此含金属材料；以及在进行该一次或多次光刻工艺过程中或之后，移除该含金属材料，其中，该晶片疏水性的增加，会促进含金属材料的移除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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