[发明专利]一种真空太阳能光电转换器件有效

专利信息
申请号: 201710661383.0 申请日: 2017-08-04
公开(公告)号: CN107393804B 公开(公告)日: 2019-05-07
发明(设计)人: 常本康;王贵圆;王焜;钱芸生;富容国;石峰;程宏昌;张益军;刘磊;张俊举;邱亚峰;陈鑫龙;杨明珠 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: H01J40/16 分类号: H01J40/16;H01J40/06;H01J40/04
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 朱宝庆
地址: 210094 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种真空太阳能光电转换器件,包括反射式宽光谱GaAlAs/GaAs光电阴极组件、第一可伐合金、第二可伐合金、圆柱形陶瓷腔、金刚石网状薄膜阳极组件;光电阴极组件自下而上由玻璃窗口、增透层、掺杂浓度渐变缓冲层、变掺杂GaAs发射层以及Cs/O激活层依次叠加组成;阳极组件自下而上由金刚石网状薄膜层、网状Si衬底层和石英玻璃窗口构成;阴极组件、阳极组件之间设置通道,阴极组件中的各部件通过铟封材料与第一可伐合金相连,阳极组件中的各部件通过铟封材料与第二可伐合金相连,第一可伐合金与第二可伐合金之间通过圆柱形陶瓷腔相连,两极之间形成真空腔体。
搜索关键词: 一种 真空 太阳能 光电 转换 器件
【主权项】:
1.一种真空太阳能光电转换器件,包括反射式宽光谱GaAlAs/GaAs光电阴极组件(1)、第一可伐合金(3‑1)、第二可伐合金(3‑2)、圆柱形陶瓷腔(4)、金刚石网状薄膜阳极组件(10);反射式宽光谱GaAlAs/GaAs光电阴极组件(1)自下而上由玻璃窗口(5)、增透层(6)、GaAlAs缓冲层(7)、变掺杂GaAs发射层(8)以及Cs/O激活层(9)依次叠加组成;GaAlAs缓冲层(7)的Al组分从增透层(6)往变掺杂GaAs发射层(8)方向由最大0.6~0.9线性下降到零,变掺杂GaAs发射层(8)的浓度掺杂按照指数掺杂形式分布,掺杂浓度范围同样控制在1.0×1019~1×1018 cm‑3之间;金刚石网状薄膜阳极组件(10)自下而上由金刚石网状薄膜层(11)、网状Si衬底层(12)和石英玻璃窗口(13)构成;反射式宽光谱GaAlAs/GaAs光电阴极组件(1)、金刚石网状薄膜阳极组件(10)之间设置通道,反射式宽光谱GaAlAs/GaAs光电阴极组件(1)中的各部件通过铟封材料(2)与第一可伐合金(3‑1)相连,金刚石网状薄膜阳极组件(10)中的各部件通过铟封材料(2)与第二可伐合金(3‑2)相连,第一可伐合金(3‑1)与第二可伐合金(3‑2)之间通过圆柱形陶瓷腔(4)相连,两极之间形成真空腔体。
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