[发明专利]一种PECVD镀膜的气体控制方法以及设备有效
申请号: | 201710665452.5 | 申请日: | 2017-08-07 |
公开(公告)号: | CN107338424B | 公开(公告)日: | 2020-03-03 |
发明(设计)人: | 袁中存;党继东 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/455;C23C16/30;H01L31/0216 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨林洁 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及太阳能电池制造技术领域,尤其是涉及一种PECVD镀膜的气体控制方法以及设备。该方法包括如下步骤:将硅烷供气管路、氨气供气管路和笑气供气管路分别连接于PECVD的反应腔,并在每种供气管路上配置有一气体流量控制器;根据每层待镀的膜层结构设定硅烷、氨气和笑气三种气体的流量参数;气体流量控制器分别按照所设定的流量参数控制输入对应的气体至PECVD的反应腔中。该方法通过气体流量控制器既能实现定量控制气体的流量,又能实现变量控制气体的流量,而且在镀膜时分别向PECVD的反应腔中通入氨气、硅烷和笑气三种气体,因此该方法生产的膜层结构具有较好的光学特性。 | ||
搜索关键词: | 一种 pecvd 镀膜 气体 控制 方法 以及 设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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