[发明专利]基于BiFe0.9Ni0.1O3/P(VDF‑TrFE)的多态存储器件及制备方法在审
| 申请号： | 201710666002.8 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN107579152A | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 毛巍威;李兴鳌;王兴福;楚亮;张健;薛洪涛;束华中 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/12;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 江苏爱信律师事务所32241 | 代理人： | 唐小红 |
| 地址： | 210023 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于BiFe0.9Ni0.1O3/P(VDF‑TrFE)的多态存储器件及制备方法。所述存储器件由衬底、底电极、多态存储层和顶电极组成，器件单元为三明治结构，多态存储层采用10％镍掺杂的铁酸铋BiFe0.9Ni0.1O3和聚偏二氟乙烯‑三氟乙烯共聚物P(VDF‑TRrE)的复合薄膜。具体制备方法为，采用水热法制备均匀的BiFe0.9Ni0.1O3纳米颗粒，然后与P(VDF‑TRrE)溶液混合；再选用FTO导电玻璃为衬底，FTO为底电极，采用刮涂法制备BiFe0.9Ni0.1O3/P(VDF‑TrFE)复合薄膜；最后，用真空蒸镀顶电极。这样得到基于BiFe0.9Ni0.1O3/P(VDF‑TrFE)复合薄膜的多态存储器件，该存储器件可以表现出两个磁化态和两个极化态，分别代表四种信息记录状态。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 bife0 ni0 o3 vdf trfe 存储 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
基于BiFe0.9Ni0.1O3/P(VDF‑TrFE)的多态存储器件，其特征在于，包括四层，依次是：衬底（1）、底电极（2）、多态存储层（3）和顶电极（4）；所述衬底（1）为玻璃，所述底电极（2）为FTO，顶电极（4）材料为Ag或者Au，所述多态存储层（3）为BiFe0.9Ni0.1O3/P(VDF‑TrFE)复合薄膜，在室温下能同时表现出良好的铁磁性和铁电性；所述的多态存储器件可以表现出四种信息记录状态，即两个磁化态和两个极化态。
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