[发明专利]金属膜镀制方法、薄膜晶体管和阵列基板的制作方法在审
| 申请号： | 201710668127.4 | 申请日： | 2017-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN107369614A | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 高东子 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;H01L21/77;H01L27/12;C23C14/14;C23C14/16;C23C14/34 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰,武岑飞 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种金属膜镀制方法，其包括步骤提供一基板；在所述基板上镀制形成第一金属膜层；暂停预定时间之后，在所述第一金属膜层上镀制形成第二金属膜层；其中，所述第一金属膜层的镀制材料与所述第二金属膜层的镀制材料相同。本发明还提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法。本发明在金属膜沉积的过程中暂停预定时间再继续沉积金属膜，可以防止金属膜因持续成膜而温度升高，从而可以避免金属膜表面被氧化而出现表面花纹，进而提高金属膜的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 金属膜 方法 薄膜晶体管 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金属膜镀制方法，其特征在于，包括步骤：提供一基板；在所述基板上镀制形成第一金属膜层；暂停预定时间之后，在所述第一金属膜层上镀制形成第二金属膜层；其中，所述第一金属膜层的镀制材料与所述第二金属膜层的镀制材料相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
