[发明专利]一种用于提升音叉晶振离子蚀刻速率的工艺在审
| 申请号： | 201710668481.7 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN107453726A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 喻信东;王斌;黄大勇 | 申请（专利权）人： | 随州泰华电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 441300 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于提升音叉晶振离子蚀刻速率的工艺，包括初次镀银、粗调、二次镀银、拆片、补片、上胶、干燥和精调。本发明中通过二次镀银的方式将晶片上的粗调面恢复一致，产品可离子蚀刻的面积可达100%，有效的提高了精调时离子蚀刻的速度，而且由于不用水洗，也避免了水洗后镀会有变色的问题，同时由于经过一次粗调后的晶片表面进行镀银，镀银效果更好，镀面更光滑，最后制造出来的晶振品质也有所提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提升 音叉 离子 蚀刻 速率 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于提升音叉晶振离子蚀刻速率的工艺，其特征在于：包括以下步骤：1）将晶振晶片清洗、烘干后进行初次镀银；2）利用激光调频原理将镀银后粗调面的镀层烧掉；3）在经步骤2）得到的晶振晶片上进行二次镀银；4）在经过拆片、补片、上胶、干燥程序后，对晶片上经过二次镀银的粗调面运用离子蚀刻技术进行精调。
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