[发明专利]沟槽式肖特基的终端结构及沟槽式肖特基在审
| 申请号： | 201710669349.8 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN109390416A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 王万礼;王彦君;孙晨光;徐长坡;刘晓芳;董子旭;刘闯;张晋英;刘文彬;李子科;杜晓辉;张建;赵晓丽;乔智;印小松;张新玲;张俊芳 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供沟槽式肖特基终端结构及沟槽式肖特基，沟槽式肖特基终端结构包括外延层，形成于外延层的表层中的沟槽、填充在沟槽中的多晶硅、形成于沟槽与多晶硅之间的栅氧化层、形成于衬底表面的介质层和形成于介质层表面的正面金属电极，沟槽为多个。沟槽式肖特基包括原胞区和终端区，终端区的结构为上述的终端结构。该沟槽式肖特基终端结构将现有技术中单个宽沟槽改为多个窄沟槽，使终端区沟槽刻蚀时制造的沟槽的深度与原胞区趋于接近，终端区和原胞区交界处的电场分布平缓，器件稳定性提高，之后的poly填充和刻蚀后的光刻工艺难度降低；孔层光刻的工艺难度的降低；沟槽中的多晶硅与正面金属电极短接，提升器件终端可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽式 肖特基 终端结构 终端区 多晶硅 原胞 正面金属电极 外延层 填充 介质层表面 器件稳定性 衬底表面 电场分布 工艺难度 沟槽刻蚀 光刻工艺 难度降低 提升器件 栅氧化层 交界处 介质层 宽沟槽 窄沟槽 短接 光刻 刻蚀 终端 制造 | ||
【主权项】：
1.沟槽式肖特基的终端结构，其特征在于：包括外延层，形成于所述外延层的表层中的沟槽、填充在所述沟槽中的多晶硅、形成于所述沟槽与所述多晶硅之间的栅氧化层、形成于所述衬底表面的介质层和形成于所述介质层表面的正面金属电极，所述沟槽为多个。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津环鑫科技发展有限公司，未经天津环鑫科技发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710669349.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高速开关二极管芯片及生产工艺
- 下一篇：叠片组件连接结构及叠片组件
- 同类专利
- 专利分类
