[发明专利]光电子器件和用于其制造的方法有效
| 申请号： | 201710670010.X | 申请日： | 2013-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN107611228B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 克里斯蒂安·莱雷尔;托比亚斯·迈耶;马蒂亚斯·彼得;于尔根·奥弗;约阿希姆·赫特功;安德烈亚斯·莱夫勒;亚历山大·沃尔特;达里奥·斯基亚翁 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/24;H01L33/32;H01L33/02;H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种光电子器件，所述光电子器件包括具有光有源层的层结构。在此，光有源层在第一横向区域中具有比在第二横向区域中更高的V型缺陷密度。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电子器件，所述光电子器件具有层结构，所述层结构具有光有源层，其中‑所述光有源层在第一横向区域中具有比在第二横向区域中更高的V型缺陷的密度，‑在俯视图中，所述V型缺陷中的至少一些V型缺陷具有由六边形、十二边形或蜂窝状结构给出的轮廓，‑所述V型缺陷中的具有由六边形、十二边形或蜂窝状结构给出的轮廓的至少一些V型缺陷设置在栅格的栅格节点处。
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