[发明专利]一种GaAs基LED芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201710670536.8 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN107706276A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 张银桥;白继锋;潘彬;易亿仁 | 申请（专利权）人： | 南昌凯迅光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所36100 | 代理人： | 张静,张文 |
| 地址： | 330038 江西省南昌市红谷滩新*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaAs基LED芯片的制备方法，它是先制成发光二极管外延片，然后在外延片上制作ITO薄膜层和金属正电极层；然后将GaAs基板的背面进行减薄和清洗，最后在GaAs基板的背面制作金属负电极层。本发明采用将GaAs基板的正面固定在载物盘上，然后往GaAs基板的背面的表面直接喷洒去除溶液的方式，避免对GaAs基板正面的外延层的影响，仅对GaAs基板背面的表层GaAs进行微腐蚀清洗，从而使GaAs基板表面的污染物连带地彻底去除，避免造成GaAs基板背面的金属负电极层脱落异常，极大地提高了芯粒的电压稳定性和芯片成品的质量良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaAs基LED芯片的制备方法，其特征在于：具体步骤如下：（1）、在GaAs基板上制备发光二极管外延片：按常规方法在GaAs基板的正面依次制作缓冲层、n‑AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、p‑AlGaInP限制层、p‑GaP窗口层；（2）、在p‑GaP窗口层上制作ITO薄膜层和金属正电极层；（3）、将GaAs基板的背面进行减薄，将减薄后GaAs基板的背面进行彻底清洗；（4）、在GaAs基板的背面蒸镀金属负电极层；（5）、在420℃的氮气氛围中进行熔合，以获得GaAs基板背面的负金属层和GaAs基板形成良好的欧姆接触，同时进一步增强了GaAs基板背面的金属负电极层与GaAs基板的粘附性。
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