[发明专利]带有污染物分子印迹的铁-碳气凝胶电Fenton阴极及其制备有效
申请号: | 201710670687.3 | 申请日: | 2017-08-08 |
公开(公告)号: | CN107434270B | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 王卿宁;赵红颖;赵国华 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | C02F1/28 | 分类号: | C02F1/28;C02F1/461;C02F1/72 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 谭磊 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: |
本发明涉及带有污染物分子印迹的铁‑碳气凝胶电Fenton阴极及其制备方法,该方法是将DMP分子印迹活性位点和纳米零价铁同时原位3D嵌入式生长到碳气凝胶矩阵中,后依次通过CO |
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搜索关键词: | 带有 污染物 分子 印迹 凝胶 fenton 阴极 及其 制备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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