[发明专利]电致发光器件及其发光层和应用在审
| 申请号： | 201710670753.7 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN108346750A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 李哲;谢相伟;宋晶尧;付东 | 申请（专利权）人： | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 向薇 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电致发光器件及其发光层和应用。所述发光层包含至少一种纳米晶体半导体材料，以及至少一种激基复合物；所述激基复合物的发射光谱与所述纳米晶体半导体材料的激发光谱至少部分重叠；所述激基复合物的激发态的衰减寿命长于所述纳米晶体半导体材料的激发态的衰减寿命。本发明的发光层在发光过程中，形成延迟荧光的激基复合物能够有效将能量传递至纳米晶体半导体材料，进而获得发光效率高，且稳定的QLED器件的发光层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光层 半导体材料 激基复合物 纳米晶体 电致发光器件 衰减寿命 激发态 发光过程 发光效率 发射光谱 激发光谱 能量传递 荧光 延迟 应用 | ||
【主权项】：
1.一种电致发光器件的发光层，其特征在于，包含至少一种纳米晶体半导体材料，以及至少一种激基复合物；所述激基复合物的发射光谱与所述纳米晶体半导体材料的激发光谱至少部分重叠；所述激基复合物的激发态的衰减寿命长于所述纳米晶体半导体材料的激发态的衰减寿命。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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