[发明专利]一种磁电薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201710670799.9 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN107488833B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 文丹丹;张怀武;李强;荆玉兰;甘功雯;李颉 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/08 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种新型的磁电薄膜材料及其制备方法，属于功能复合材料制备技术领域。所述磁电薄膜材料包括依次沉积于非晶玻璃基片上的具有铁磁性的FeSiBC非晶材料和具有铁电性的Sm离子改性的铁酸铋，所述FeSiBC非晶材料为Fe81Si3.5B13.5C2，所述Sm离子改性的铁酸铋的化学式为Bi1‑xSmxFeO3，其中x＝0.02～0.06。本发明磁电薄膜具有优良的磁电性能，可应用于小型化或微型化的多功能电磁器件上。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电薄膜 非晶材料 离子改性 铁酸铋 制备 功能复合材料 制备技术领域 微型化 多功能电磁 磁电性能 非晶玻璃 铁磁性 铁电性 沉积 应用 | ||
【主权项】：
1.一种磁电薄膜材料，其特征在于，所述磁电薄膜材料包括依次沉积于非晶玻璃基片上的FeSiBC非晶材料和Sm离子改性的铁酸铋，所述FeSiBC非晶材料为Fe81Si3.5B13.5C2，所述Sm离子改性的铁酸铋的化学式为Bi1‑xSmxFeO3，其中x＝0.02～0.06。
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