[发明专利]一种双面异构体微喷嘴及其制造方法

摘要

本发明提供了一种双面异构体微喷嘴的制造方法，所述方法采用双面套刻工艺和硅深刻蚀技术：在硅片的第一面刻蚀出所需图形，然后利用双面套刻工艺精确对准后，再从硅片的第二面将图形刻通；采用硅片两面的不同图形的刻蚀，在同一垂直机体内制作异形的连体形貌结构，以形成喷嘴内部的功能结构体，且在两种图形结构交汇处仍是完整的一体，从而得到具有超强机械强度的双面异构体微喷嘴。

主权项

1.一种双面异构体微喷嘴的制造方法，其特征在于：/n在硅片的第一面刻蚀出所需图形，然后利用双面套刻工艺精确对准后，再从硅片的第二面将图形刻通；/n采用硅片两面的不同图形的刻蚀，在同一垂直基体内制作异形的连体形貌结构，且在两种图形结构交汇处仍是完整的一体，从而得到双面异构体微喷嘴；/n按照以下步骤执行：/n(1)在两块掩膜板上制作出用以两面对准的符号和所需的各类阵列图形；/n(2)硅片的表面清洁后，在硅片的正反面即第一面、第二面进行如下操作：/n在硅片的第一面即正面均匀甩上光刻胶，然后通过烘胶将液态的光刻胶固化成固体的光刻胶，形成均匀的光刻胶层；/n在紫外曝光机上对硅片上的光刻胶层进行紫外曝光；/n用显影液显影出所需图形，保护住不需要刻蚀的部分；/n采用刻蚀的方法，在硅片上刻蚀出所需要的各种三维孔道结构；/n上述刻蚀完成后，去胶并清洁整个硅片，然后，在已有图形的第一面进行甩胶和整体曝光，使其形成保护层，保护已成形的三维结构以免被再次刻蚀；/n在硅片的第二面即背面进行如下操作：/n清洁第二面、甩胶、烘胶，准备进行第二面的曝光；/n采用精准双面对准技术对硅片的第二面进行精确定位与紫外曝光；/n用显影液显影出所需图形，保护住不需要刻蚀的部分；/n甩胶以保护住上述已刻蚀出来的三维孔道结构；/n再次采用反应刻蚀的方法在硅片的第二面刻蚀出所需要的各种三维结构孔道，完成双面套刻；/n(3)除胶，释放出双面异构体微喷嘴。/n