[发明专利]一种高亮度LED芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高亮度LED芯片及其制备方法，包括取外延片，在P型半导体层上制作透明导电层，对透明导电层靠近边缘的区域行刻蚀，在透明导电层上制作绝缘钝化层，用光刻机对绝缘钝化层进行光刻，制作P型电极和P型焊盘，制作N型电极和N型焊盘，退火，获得LED芯片，由于光刻机的光源与掩膜版之间有至少一个滤波片，屏蔽了杂光，从而减小了P型电极和N型电极的宽度，提高了出光效率。

主权项

一种高亮度LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：取外延片并清洗，所述外延片，包括：依次层层叠加的衬底、N型半导体层、量子阱层和P型半导体层；在所述P型半导体层上制作透明导电层，所述透明导电层覆盖所述P型半导体层；对所述透明导电层靠近边缘的区域进行刻蚀，暴露出部分所述N型半导体层形成N电极区域，其中，所述N电极区域的侧壁为台阶状的发光区台面；对所述透明导电层和所述外延片进行退火，在所述透明导电层和所述P型半导体层的接触面上形成欧姆接触；在所述透明导电层远离所述外延片一侧制作绝缘钝化层；用光刻机对所述绝缘钝化层进行光刻，在所述P型半导体层上暴露出P电极区域，并暴露出所述N电极区域，其中：所述光刻机的光源与掩膜版之间有至少一个滤波片；所述光刻机具有冷却系统，所述冷却系统，包括：围绕所述光源的环形导热管；所述P电极区域与所述N电极区域的重叠面积为0；在所述P电极区域制作P型电极和P型焊盘；在所述N电极区域制作N型电极和N型焊盘；对所述外延片、所述透明导电层、所述绝缘钝化层、所述P型电极、所述P型焊盘、所述N型电极和所述N型焊盘进行退火，获得所述LED芯片。