[发明专利]功率型半导体器件封装方法及封装结构

摘要

本发明提供了一种功率型半导体器件封装方法及封装结构，功率型半导体器件包括分别位于两面至少两个端子，其中方法包括：将第一电极放入基板的定位孔内，将至少一个功率型半导体器件的一个端子固定连接在第二电极上，在功率型半导体器件的第一端子分别与所述第一电极电接触后对第二电极与基板进行压接。通过定位孔对第二电极限位，通过第一电极对功率型半导体器件限位，基板与第一电极压接可以实现全部限位，由此，可以省略功率型半导体器件及其电极的定位件，不仅封装方法简易，封装过程中电极与器件的定位准确，而且，可以较为有效的减少绝缘的定位件带来的气隙放电，使功率型半导体器件封装结构更加可靠。

主权项

1.一种功率型半导体器件封装方法，所述功率型半导体器件至少包括位于第一表面的第一端子和位于与所述第一表面相对的第二表面的第二端子，其特征在于，所述方法包括：/n提供具有至少一个定位孔的基板；/n在所述定位孔内涂覆导电层；/n在所述定位孔内放置第一电极，其中所述定位孔的形状与所述第一电极的形状相适配；/n将至少一个所述功率型半导体器件的第二端子固定连接在第二电极上，在所述基板背离所述第二电极的一面涂覆第一导体，所述第一导体分别与所述定位孔的导电层连接，其中，所述第二电极的形状与所述基板的形状相适配，固定后的所述功率型半导体器件的第一端子的位置分别与放置在所述基板的所述定位孔内的第一电极的位置相对应；/n对固定有所述功率型半导体器件的所述第二电极与所述基板进行压接，以使至少一个所述功率型半导体器件的第一端子分别与所述第一电极电接触。/n