[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

作为具有因较浅的pn结而对紫外线的灵敏度高的光电二极管的半导体装置的制造方法，不利用对硅衬底的离子注入，而作成能够以良好灵敏度检测紫外线的光电二极管，因此向硅衬底表面沉积以高浓度包含杂质的氧化物，然后，利用高速升降温装置进行伴随快速的温度变化的热扩散，形成扩散区域，设置极浅的pn结。

主权项

一种在硅衬底的表面具有利用pn结的光电二极管的半导体装置的制造方法，其特征在于具有：除去硅衬底的表面的氧化膜的工序；向所述硅衬底的表面沉积包含磷的第1氧化物的工序；仅在期望的部分形成所述第1氧化物的工序；在1000℃以上的高温下对仅在所述期望的部分形成的所述第1氧化物实施成为3分钟以下的第1退火，使所述第1氧化物所包含的磷向所述硅衬底表面热扩散，形成第1N型扩散区域的工序；在除去仅在所述期望的部分形成的所述第1氧化物之后，向所述硅衬底表面沉积包含磷的第2氧化物的工序；以与所述第1N型扩散区域连接的方式形成所述第2氧化物的工序；以及在与所述第1退火相同或者更高的温度下，对与所述第1N型扩散区域连接而形成的所述第2氧化物实施成为与所述第1退火相同或者更短时间的第2退火，使所述第2氧化物所包含的磷向所述硅衬底表面热扩散，形成第2N型扩散区域的工序。