[发明专利]复合电流扩展层及其制作方法有效
| 申请号： | 201710676698.2 | 申请日： | 2017-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN107492570B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 孟锡俊;张翼;陈勘 | 申请（专利权）人： | 西安中为光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 成都市鼎宏恒业知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51248 | 代理人： | 罗韬 |
| 地址： | 710000 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种复合电流扩展层及其制作方法，属一种电流扩展层的制作方法，所述电流扩展层包括由下至上设置的底层隔离层、GaN电流扩展层、异质结隔离层与AlGaN势垒层；通过多层复合而成的电流扩展层，异质结高迁移率二维电子或空穴气电流扩展层，利用该高迁移率的二维电子或空穴气层，可将电流更加有效的扩展开，消除电流拥堵严重的问题，提高芯片可靠性，降低芯片的Droop效应；同时本发明所提供的一种复合电流扩展层结构简单，适于在各类芯片上生长使用，应用范围广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 电流 扩展 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种复合电流扩展层，其特征在于所述电流扩展层包括由下至上设置的底层隔离层、GaN电流扩展层、异质结隔离层与AlGaN势垒层，其中：所述底层隔离层与异质结隔离层均为AlxGa1‑xN材料，其中x的值为50％至100％，且所述底层隔离层与异质结隔离层的厚度均小于或等于2nm；所述GaN电流扩展层为无掺杂GaN材料，且所述GaN电流扩展层的厚度为10nm至200nm；所述AlGaN势垒层为n型掺杂的AlxGa1‑xN材料，其中X值为2％至30％，厚度为10nm至100nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安中为光电科技有限公司，未经西安中为光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710676698.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种显示基板及显示装置
- 下一篇：一种肖特基极结构、肖特基二极管及制造方法
- 同类专利
- 专利分类
