[发明专利]晶须单光子探测器件

摘要

本发明提供一种晶须单光子探测器件，所述晶须单光子探测器件包括：衬底；功能结构层，所述功能结构层位于所述衬底表面；所述功能结构层至少包括一层晶须。本发明的晶须单光子探测器件使用晶须替代现有超导纳米线单光子探测器件中的超导纳米线，本发明的晶须单光子探测器件即具有现有超导纳米线单光子探测器件的一切功能，同时，晶须具有很好的柔性，具有较高的临界电流密度，且在弯曲和外场强下其临界电流密度不会明显变化，大大提高了晶须单光子探测器件的实用性。

主权项

1.一种晶须单光子探测器件，其特征在于，所述晶须单光子探测器件包括：衬底；功能结构层，所述功能结构层包括N层介质层及N层晶须，所述晶须为纳米晶须；其中，N为大于等于1的整数；N层所述介质层依次堆叠于所述衬底表面；所述晶须位于与其对应层的所述介质层表面，且当N大于1时，前N‑1层所述晶须分别被位于其上一层的所述介质层完全覆盖。