[发明专利]一种输入欠压保护电路有效

专利信息
申请号: 201710678498.0 申请日: 2017-08-10
公开(公告)号: CN107302214B 公开(公告)日: 2019-03-05
发明(设计)人: 唐盛斌;符威 申请(专利权)人: 广州金升阳科技有限公司;深圳南云微电子有限公司
主分类号: H02H7/12 分类号: H02H7/12;H02H3/24;H02M3/335
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 510663 广东省广州市广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种输入电压保护电路,不需要增加额外的引脚和采样电阻,就能实现输入欠压保护和前馈补偿等功能,两种功能分时复用引脚,而且功能相互独立,精度高,能够进一步降低生产成本,拓宽控制器以及开关电源的应用范围。
搜索关键词: 一种 输入 保护 电路
【主权项】:
1.一种输入欠压保护电路,其特征在于:包括引脚UVP、电流镜、钳位模块、比较器和电压切换模块;电流镜一端与钳位模块连接,形成节点ILC;电流镜的另一端输出前馈补偿电流;钳位模块的一端与预设电压V1连接,钳位模块的另一端与比较器的第一输入端、引脚UVP连接;比较器第二输入端与电压切换模块一端连接;比较器输出端与电压切换模块另一端连接,用于输出输入欠压保护信号UVP_L;所述的钳位模块包括PMOS管PM1、PMOS管PM2、NMOS管NM1、NMOS管NM2和NMOS管NM3;PMOS管PM1的源极与预设电压V1连接,PMOS管PM1的栅极和PMOS管PM1的漏极与PMOS管PM2的栅极、NMOS管NM1的漏极连接;PMOS管PM2的源极与引脚UVP连接,PMOS管PM2的漏极与NMOS管NM1的栅极、NMOS管NM2的栅极和漏极、NMOS管NM3的栅极连接,NMOS管NM3的漏极与节点ILC连接;NMOS管NM1、NMOS管NM2、NMOS管NM3的源极与参考地连接。
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