[发明专利]基于厚度方向激励剪切波模式的FBAR微压力传感器有效

专利信息
申请号: 201710678976.8 申请日: 2017-08-10
公开(公告)号: CN107525610B 公开(公告)日: 2020-02-07
发明(设计)人: 马晓鑫;苏淑靖;耿子惠;熊继军;谭秋林 申请(专利权)人: 中北大学
主分类号: G01L1/10 分类号: G01L1/10
代理公司: 14110 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 代理人: 任林芳
地址: 030051*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明属于微电子器件领域,提出了一种基于厚度方向激励剪切波模式的FBAR微压力传感器,包括硅衬底,硅衬底上表面淀积绝缘层,绝缘层上表面沉积布拉格反射层,布拉格反射层上表面淀积有底电极,AlN压电薄膜设置在底电极和布拉格反射层上方,AlN压电薄膜上表面设置有与底电极形状相同、位置对应的顶电极,压电薄膜上表面还设置有淀积4个微压力敏感层,微压力敏感层对称设置在压电薄膜的边缘处,且与顶电极错位设置,微压力敏感层上键合微压力施加层。本发明具有高Q值和高工作频率的优点,同时还具有高分辨率、高灵敏度、低能耗、高牢固性、低成本的特点,可以广泛应用于微压力传感器领域。
搜索关键词: 压电薄膜 上表面 微压力 布拉格反射层 敏感层 微压力传感器 底电极 顶电极 硅衬底 淀积 绝缘层上表面 淀积绝缘层 高工作频率 微电子器件 错位设置 对称设置 高分辨率 高灵敏度 电极 边缘处 低成本 低能耗 剪切波 牢固性 施加层 键合 沉积 应用
【主权项】:
1.一种基于厚度方向激励剪切波模式的FBAR微压力传感器,其特征在于,包括硅衬底(1)、绝缘层(2)、布拉格反射层(3)、底电极(4)、AlN压电薄膜(5)、顶电极(6)、微压力敏感层(7)及微压力施加层(8);/n所述绝缘层(2)为淀积在硅衬底(1)上表面的SiO2绝缘层,所述绝缘层(2)上表面沉积布拉格反射层(3),所述布拉格反射层(3)上表面淀积底电极(4),所述AlN压电薄膜(5)设置在所述底电极(4)和所述布拉格反射层(3)的上表面,所述AlN压电薄膜(5)上表面设置有与所述底电极(4)形状相同,且位置对应的顶电极(6),所述压电薄膜(5)上表面还设置有淀积4个所述微压力敏感层(7),所述微压力敏感层(7)对称设置在所述压电薄膜(5)的边缘处,且与所述顶电极(6)错位设置,所述微压力敏感层(7)上键合所述微压力施加层(8),所述微压力敏感层(7)用于作为微压力检测时的均匀受力结构,所述微压力施加层(8)用于接收待测压力。/n
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