[发明专利]有机脒分子n型掺杂剂及其在半导体光电器件中的应用有效
申请号: | 201710678994.6 | 申请日: | 2017-08-08 |
公开(公告)号: | CN107501269B | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 周印华;胡林;蒋友宇;刘铁峰;覃飞;熊思醒 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学;深圳华中科技大学研究院 |
主分类号: | C07D487/04 | 分类号: | C07D487/04;C07D233/56;C07C259/14;C07C257/12;C07C257/14;C07C257/18;H01L51/30;H01L51/46;H01L51/54 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智;曹葆青 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种有机脒分子n型掺杂剂及其在半导体光电器件中的应用,其中,n型掺杂剂为有机脒分子,n型掺杂剂与受体材料混合或者直接将受体材料暴露在n型掺杂剂的蒸汽气氛中,实现对受体材料的n掺杂。本发明将n型掺杂剂加入到有机n型半导体中,可调节有机半导体电导率、功函数以及电子迁移率等性质;n型掺杂剂对受体材料进行n掺杂后,应用于钙钛矿太阳能电池、有机太阳能电池、有机发光二极管和有机场效应晶体管。 | ||
搜索关键词: | 有机 分子 掺杂 及其 半导体 光电 器件 中的 应用 | ||
【主权项】:
1.一种有机脒分子n型掺杂剂在半导体光电器件中的应用,其特征在于,所述n型掺杂剂与受体材料混合或者直接将受体材料暴露在n型掺杂剂的蒸汽气氛中,实现对受体材料的n掺杂后,应用于半导体光电器件,所述半导体光电器件为钙钛矿太阳能电池、有机太阳能电池、有机发光二极管和有机场效应晶体管,所述n型掺杂剂为DBU。
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