[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710679485.5 | 申请日： | 2017-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN109390401B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 刘恩铨;童宇诚 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。制作半导体结构的方法的步骤包含分别在第一区域、第二区域以及虚置区域上形成多个鳍结构、在第一区域中形成一第一固态掺质来源层以及一第一绝缘缓冲层、在第二区域以及虚置区域中形成一第二固态掺质来源层以及一第二绝缘缓冲层、以及进行一蚀刻制作工艺削减该虚置区域中的鳍结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底，该基底具有第一区域、第二区域、以及虚置区域；在该第一区域、该第二区域以及该虚置区域中形成多个鳍结构；在该第一区域中形成一第一固态掺质来源层；在该第一固态掺质来源层上形成一第一绝缘缓冲层；在该第二区域以及该虚置区域中形成一第二固态掺质来源层；在该第一绝缘缓冲层上以及该第二固态掺质来源层上形成一第二绝缘缓冲层；以及进行一蚀刻制作工艺来削减该虚置区域上的该鳍结构以形成虚置鳍结构。
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