[发明专利]发光面板有效

专利信息
申请号: 201710679587.7 申请日: 2014-02-21
公开(公告)号: CN107516471B 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 钟之江有宣;森田清之 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G09F9/30 分类号: G09F9/30;H01L21/336;H01L27/32;H05B33/26;H01L51/50;H05B33/12;H05B33/22;H01L29/786
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 张谟煜;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及发光面板。一种薄膜半导体基板,具备顶栅型的第1TFT(10)及第2TFT(20)和数据线(源极布线(32)),第1TFT(10)包括第1半导体层(11)、第1栅极绝缘膜(12)、第1栅电极(10G)、第1源电极(10S)及第1漏电极(10D)、以及第1保护层(13),第2TFT(20)包括第2半导体层(21)、第2栅极绝缘膜(22)、第2栅电极(20G)、第2源电极(20S)及第2漏电极(20D)、以及第2保护层(23),数据线与第1源电极(10S)连接,第1漏电极(10D)是第2栅电极(20G)延伸而构成的,第2栅电极(20G)的厚度比数据线的厚度薄。
搜索关键词: 发光 面板
【主权项】:
1.一种发光面板,具备:基板;第1半导体元件及第2半导体元件,位于所述基板的上方;数据线,位于所述基板的上方;位于所述基板的上方的阳极;位于所述阳极的上方的发光层;以及位于所述发光层的上方的阴极,所述第1半导体元件包括:第1半导体层;第1栅极绝缘膜,位于所述第1半导体层的上方;第1栅电极,位于所述第1栅极绝缘膜的上方;以及第1源电极及第1漏电极,与所述第1半导体层的一部分连接,所述第2半导体元件包括:第2半导体层;第2栅极绝缘膜,位于所述第2半导体层的上方;第2栅电极,位于所述第2栅极绝缘膜的上方;以及第2源电极及第2漏电极,与所述第2半导体层的一部分连接,所述第1半导体元件与所述第2半导体元件电连接,所述第1源电极以及所述第1漏电极的一方配置在所述发光层的下方,或者与所述第1源电极以及所述第1漏电极的另一方的电极相比靠近所述发光层的下方的位置,所述数据线与所述第1源电极及所述第1漏电极中的另一方的电极连接,所述第1源电极以及所述第1漏电极中的一方的电极的厚度比所述数据线的厚度薄。
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