[发明专利]一种晶圆键合方法有效
| 申请号： | 201710681131.4 | 申请日： | 2017-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN107633997B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 郭帅;王家文;丁滔滔;邢瑞远;王孝进;王家友;李春龙 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种晶圆键合方法，包括：提供具有正面和背面的第一晶圆和第二晶圆；对第一和第二晶圆的正面进行等离子体活化处理；对等离子体活化处理后的第一和第二晶圆的正面进一步进行硅溶胶冲洗处理；对硅溶胶冲洗后的第一和第二晶圆执行初步键合工艺；对初步键合的第一和第二晶圆进行热处理。通过硅溶胶冲洗为晶圆正面提供更多的羟基，从而增加键合强度。硅溶胶优选低浓度的硅溶胶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆键合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆键合方法，包括如下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆和第二晶圆分别包括正面和背面；对第一晶圆和第二晶圆的正面进行等离子体活化处理；对第一晶圆和第二晶圆的正面进一步进行硅溶胶冲洗处理；对硅溶胶冲洗处理后的第一晶圆和第二晶圆执行初步键合工艺，完成第一晶圆和第二晶圆的贴合；对贴合的第一和第二晶圆进行热处理，完成第一晶圆和第二晶圆的键合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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