[发明专利]支撑柱、微型集音器、CMOS麦克风单晶片有效
| 申请号： | 201710682053.X | 申请日： | 2016-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN107673303B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 陈健章;梁贻德;林晓逸;杨正光 | 申请（专利权）人： | 风起科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 中国台湾桃园市中坜区中大*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种支撑柱、微型集音器、CMOS麦克风单晶片，支撑柱形成于一可动薄膜下方，用以支撑该可动薄膜，包含：数个第一微形金属柱、基底金属连接柱层与第一氧化包覆层；其中，第一微形金属柱形成于可动薄膜下方，并与可动薄膜形成金属导接；基底金属连接柱层形成于第一微形金属柱下方，与第一微形金属柱导接；第一氧化包覆层完全或部分包覆第一微形金属柱而使第一微形金属柱与空气绝缘而可使支撑柱形成柱状；该可动薄膜形成有至少一个第一穿孔，该第一穿孔以一氧化材料填满而与该第一氧化包覆层形成连结；本技术方案的支撑柱可达到抵抗强烈震动的技术功效。 | ||
| 搜索关键词： | 支撑 微型 集音器 cmos 麦克风 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种支撑柱，形成于一可动薄膜下方，用以支撑该可动薄膜，其特征在于，包含：数个第一微形金属柱，形成于该可动薄膜下方，并与该可动薄膜形成金属导接；一基底金属连接柱层，形成于该些第一微形金属柱下方，与该些第一微形金属柱导接；及一第一氧化包覆层，完全或部分包覆该些第一微形金属柱而使该些第一微形金属柱与空气绝缘而使该支撑柱形成柱状；其中该可动薄膜形成有至少一个第一穿孔，该第一穿孔以一氧化材料填满而与该第一氧化包覆层形成连结。
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