[发明专利]一种半导体晶体管结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710682072.2 | 申请日： | 2017-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN109390402A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体晶体管结构及其制备方法，该结构包括：半导体衬底；栅极组件，位于半导体衬底之上，栅极组件包括栅介质层、位于所述栅介质层上的栅导电层；侧壁隔离结构，位于栅极组件的侧壁，由栅极组件侧壁由内向外依次包括第一隔离层、空气隔离层以及第二隔离层；及栓导电层，位于栅极组件的两侧，由侧壁隔离结构将栓导电层与栅极组件隔离。本发明可有效降低寄生电容值，进而改善电阻电容延迟增快速度和降低开关能量。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极组件 半导体晶体管 侧壁隔离 栅介质层 导电层 隔离层 侧壁 衬底 制备 半导体 电阻电容延迟 空气隔离层 寄生电容 开关能量 由内向外 栅导电层 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶体管结构，其特征在于，包括：半导体衬底；栅极组件，位于所述半导体衬底之上，所述栅极组件包括栅介质层、位于所述栅介质层上的栅导电层；侧壁隔离结构，位于所述栅极组件的侧壁，所述侧壁隔离结构由所述栅极组件侧壁由内向外依次包括第一隔离层、空气隔离层以及第二隔离层；及栓导电层，位于所述栅极组件的两侧，由所述侧壁隔离结构将所述栓导电层与所述栅极组件隔离。
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