[发明专利]一种大尺寸发光二极管外延片及其生长方法在审
| 申请号： | 201710683520.0 | 申请日： | 2017-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN107452845A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 张韧剑;李志聪;冯亚萍;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种大尺寸发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域，在衬底上依次外延生长缓冲层非故意掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型掺杂GaN层，其中，缓冲层生长包括在衬底上依次进行第一、第二和第三缓冲层的生长。本发明采用三层缓冲层能有效释放衬底与GaN因热膨胀系数不同而产生的应力，降低衬底与GaN晶格常数不同导致的应力，减少大尺寸外延在高温生长过程中衬底破碎、裂片的几率，为氮化物薄膜结构层中非故意掺杂GaN层及有源层结构的生长打好基础，可提高大尺寸外延材料质量，改善外延片波长均匀性，调整外延片的翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 发光二极管 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种大尺寸发光二极管外延片，主要由设置在衬底同一侧的缓冲层、非故意掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型掺杂GaN层组成，其特征在于：所述缓冲层由第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层组成，第一缓冲层设置在衬底上，第二缓冲层设置在第一缓冲层和第三缓冲层之间。
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