[发明专利]一种适用于Ⅲ族氮化物外延生长的石墨烯蓝宝石衬底在审
| 申请号： | 201710684312.2 | 申请日： | 2017-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN107689323A | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 刘忠范;陈召龙;高鹏 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/205;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于Ⅲ族氮化物外延生长的石墨烯蓝宝石衬底。该衬底的制备方法包括对蓝宝石衬底进行石墨烯化学气相沉积的步骤；其中，所述方法还包括在所述化学气相沉积步骤之后对体系进行等离子体处理的步骤。所述等离子体处理具体可为氧等离子体处理、氮等离子体处理或氩等离子体处理。本发明可以实现Ⅲ族氮化物薄膜的快速高效制备，直接大幅度降低了Ⅲ族氮化物薄膜生产成本。得到的Ⅲ族氮化物可以进一步加工成LED器件，基于石墨烯非常好的热导率，制成的LED芯片可以避免使用过程中的过热问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 氮化物 外延 生长 石墨 蓝宝石 衬底 | ||
【主权项】：
一种制备石墨烯蓝宝石衬底的方法，包括对蓝宝石衬底进行石墨烯化学气相沉积的步骤；其特征在于：所述方法还包括：在所述化学气相沉积步骤之后对体系进行等离子体处理的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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