[发明专利]微反射镜的制造方法有效

专利信息
申请号: 201710684330.0 申请日: 2017-08-11
公开(公告)号: CN109387892B 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 张学敏;孙天玉;付思齐;俞挺;王逸群;张宝顺 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: G02B5/124 分类号: G02B5/124;G03F1/76;G03F1/80
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰
地址: 215123 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种微反射镜的制造方法,制造方法包括步骤:提供一(100)晶面的硅衬底;在硅衬底的顶面和底面分别生长一介质层;对硅衬底顶面的介质层进行刻蚀,以在硅衬底的顶面形成第一掩模图案,第一掩模图案包括多个第一掩模,每个第一掩模与硅衬底的[110]晶向的夹角为45°;对形成有第一掩膜图案的硅衬底进行湿法腐蚀,以在硅衬底的表面形成多个45°的V型槽或梯形槽;利用等离子体刻蚀技术对形成有多个45°的V型槽或梯形槽的硅衬底进行干法刻蚀,以获得微反射镜样材;对微反射镜样材进行划片切割,以获得多个45°的微反射镜。本发明提供的微反射镜的制造方法,能够提高了反射效率、简化工艺以及降低成本。
搜索关键词: 反射 制造 方法
【主权项】:
1.一种微反射镜的制造方法,其特征在于,包括步骤:提供一(100)晶面的硅衬底;在所述硅衬底的顶面和底面分别生长一介质层;对所述硅衬底顶面的介质层进行刻蚀,以在所述硅衬底的顶面形成第一掩模图案,所述第一掩模图案包括多个第一掩模,每个所述第一掩模与所述硅衬底的[110]晶向的夹角为45°;对形成有所述第一掩膜图案的硅衬底进行湿法腐蚀,以在所述硅衬底的表面形成多个45°的V型槽或梯形槽;利用等离子体刻蚀技术对形成有所述多个45°的V型槽或梯形槽的硅衬底进行干法刻蚀,以获得微反射镜样材;对所述微反射镜样材进行划片切割,以获得多个45°的微反射镜。
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