[发明专利]低温微波源、低温微波源芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种低温微波源、低温微波源芯片及其制作方法，该芯片包括衬底以及位于衬底表面上的透射腔、偏置结、电压偏置线、以及直流偏置线；透射腔包括SQUID链，用于发射微波光子；偏置结与透射腔电连接，用于产生微波光子；电压偏置线用于为偏置结施加偏置电压，使偏置结中的电子库珀对通过受激发射的方式，转化为微波光子；直流偏置线用于为透射腔施加磁场；其中透射腔的谐振频率由SQUID链的总电容和总电感决定；SQUID链的总电感随磁场大小的变化而变化，磁场的大小随直流偏置线中电流大小的变化而变化。本发明提供的低温微波源芯片是通过受激发射的方式产生微波光子，保证了发射出去的微波光子的频率、幅值、相位的稳定性，满足了微波源的要求。

主权项

一种低温微波源芯片，其特征在于，包括衬底以及位于衬底表面上的透射腔、偏置结、电压偏置线、以及直流偏置线；其中，所述透射腔用于发射微波光子，所述透射腔包括SQUID链，所述SQUID链包括多个SQUID结构，所述多个SQUID结构相互串联；所述偏置结与所述透射腔电连接，用于产生微波光子；所述电压偏置线用于为所述偏置结施加偏置电压，使所述偏置结中的电子库珀对通过受激发射的方式，转化为微波光子；所述直流偏置线用于为所述透射腔施加磁场；其中，所述透射腔的谐振频率由所述SQUID链的总电容和总电感决定；所述SQUID链的总电感随所述磁场大小的变化而变化，所述磁场的大小随所述直流偏置线中电流大小的变化而变化。