[发明专利]成膜装置和其使用的气体排出部件

摘要

本发明提供一种在通过等离子体CVD成膜时，调整基板外周部的膜厚能够获得所期望的膜厚面内均匀性的技术。成膜装置(100)包括：用于收纳晶片(W)的处理容器(1)；在处理容器(1)内载置晶片的基座(2)；与载置在基座(2)的晶片W相对配置，将处理气体向基座(2)上的晶片(W)排出的喷淋头(10)；在喷淋头(10)和基座(2)之间生成等离子体并激发处理气体的高频电源(41)，利用由等离子体激发的处理气体在晶片(W)上形成规定的膜。喷淋头(10)具有与基座(2)相对的气体排出面(17)，在气体排出面(17)形成有多个气体排出孔(15)，气体排出面(17)中的形成有多个气体排出孔(15)的气体排出孔形成区域(18)比气体排出面(17)的与晶片(W)对应的区域小。

主权项

1.一种成膜装置，其包括：/n用于收纳被处理基板的处理容器；/n在所述处理容器内载置被处理基板的载置台；/n与载置在所述载置台上的被处理基板相对配置的用于将处理气体向所述载置台上的被处理基板排出的气体排出部件；和/n在所述气体排出部件和所述载置台之间生成等离子体而激发所述处理气体的等离子体生成装置，/n所述成膜装置利用被等离子体激发的处理气体在被处理基板上形成规定的膜，所述成膜装置的特征在于，/n所述气体排出部件具有与所述载置台相对的气体排出面，在所述气体排出面形成有多个气体排出孔，/n所述气体排出面中的形成有所述多个气体排出孔的气体排出孔形成区域比所述气体排出面的与被处理基板对应的区域小，/n所述气体排出面中的所述气体排出孔形成区域和与所述被处理基板对应的区域呈同心状，所述气体排出孔形成区域的直径比与所述被处理基板对应的区域的直径小，/n所述气体排出孔形成区域的直径相对于与所述被处理基板对应的区域的直径的比例是66.6～93.4％，/n对所述气体排出部件施加高频电力。/n