[发明专利]显示基板及其制造方法和显示装置有效
| 申请号： | 201710686624.7 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN107452758B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 班圣光;曹占锋;姚琪;薛大鹏 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 汪源;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种显示基板及其制造方法和显示装置。该显示基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的金属原子层、遮光层和薄膜晶体管，所述遮光层位于所述金属原子层的远离所述衬底基板的一侧，所述薄膜晶体管位于所述遮光层的远离所述衬底基板的一侧。本发明的技术方案中，显示基板包括衬底基板和位于衬底基板上的金属原子和遮光层，遮光层位于金属原子的远离衬底基板的一侧，金属原子通过等离子激元效应增强了遮光层对背光的吸收，从而提高了薄膜晶体管的稳定性和显示效果。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板和位于所述衬底基板上的金属原子层、遮光层和薄膜晶体管，所述遮光层位于所述金属原子层的远离所述衬底基板的一侧，所述薄膜晶体管位于所述遮光层的远离所述衬底基板的一侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710686624.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
