[发明专利]基于LRC的GeSn隧穿场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710687171.X | 申请日： | 2017-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN107564958A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 张捷 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于LRC的GeSn隧穿场效应晶体管及其制备方法，其中制备方法包括选取Si衬底；在Si衬底表面连续生长Ge外延层和保护层；采用激光再晶化工艺晶化Ge外延层并刻蚀保护层；在Ge外延层表面生长GeSn外延层；在GeSn外延层表面连续生长栅介质层与栅极材料层并光刻栅介质层与栅极材料层；制备P型掺杂的源区和N型掺杂的漏区；激活源区和漏区完成隧穿场效应晶体管的制备；本发明提供的基于LRC工艺的GeSn隧穿晶体管，较于传统MOS器件，该结构亚阈效应小，可以解决短沟效应；从而提高了TFET器件的电流驱动与频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 lrc gesn 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于LRC的GeSn隧穿场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：(a)选取Si衬底；(b)在所述Si衬底表面连续生长Ge外延层和保护层；(c)采用激光再晶化工艺晶化所述Ge外延层形成Ge虚衬底，刻蚀所述保护层；(d)在所述Ge虚衬底表面生长GeSn外延层；(e)在所述GeSn外延层表面连续生长栅介质层与栅极材料层并光刻所述栅介质层与栅极材料层；(f)制备P型掺杂的源区和N型掺杂的漏区；(g)激活所述源区和所述漏区以完成所述隧穿场效应晶体管的制备。
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