[发明专利]基于LRC工艺的横向PiNGe光电探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于LRC工艺的横向PiN Ge光电探测器及其制备方法。该方法包括制作SOI衬底；离子注入在顶层Si层中分别形成P和N型掺杂区；在顶层Si层的未掺杂区域表面形成Ge材料并形成保护层；对整个衬底进行加热，并采用激光工艺晶化整个衬底，冷却后使Ge材料形成晶化Ge层；去除保护层，形成钝化层；刻蚀钝化层形成接触孔，在接触孔中淀积金属材料形成接触区。本发明通过采用激光再晶化工艺，控制精度高，晶化速度快，工艺步骤简单，工艺周期短，热预算低等优点，形成的晶化Ge层，可有效降低Ge/Si界面的位错密度、表面粗糙度、界面缺陷，提升Ge/Si界面特性，从而使光电探测器具备高速响应率和高量子效率的特性。

主权项

一种基于LRC工艺的横向PiN Ge光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：制作SOI衬底；利用离子注入工艺在所述SOI衬底的顶层Si层中分别形成P型掺杂区和N型掺杂区从而形成P‑i‑N结构；在所述顶层Si层的未掺杂区域表面形成Ge材料，并在所述Ge材料表面形成保护层；对整个衬底进行加热，并采用激光工艺晶化整个衬底，冷却后使所述Ge材料形成晶化Ge层；去除所述保护层，在整个衬底表面形成钝化层；刻蚀所述钝化层形成接触孔，在所述接触孔中淀积金属材料形成接触区以形成所述横向PiN Ge光电探测器。