[发明专利]功率半导体器件及其制造方法

摘要

本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在半导体衬底的第一表面上形成外延层，半导体衬底和外延层均为第一掺杂类型且分别具有第一掺杂浓度和第二掺杂浓度；在外延层上形成栅叠层，栅叠层包括栅介质层和栅极导体，栅介质层夹在栅极导体和外延层之间；在外延层中形成体区，体区为第二掺杂类型；在体区中形成第一掺杂区，第一掺杂区为第一掺杂类型；形成到达第一掺杂区的第一接触；从半导体衬底的第二表面对半导体衬底进行掺杂，以提高掺杂浓度；以及在半导体衬底的第二表面上形成第二接触，其中，第一掺杂浓度是第二掺杂浓度的5至100倍。该方法工艺过程中减小了半导体衬底和外延层之间的浓度差，从而减小了过渡区的厚度，从而可以提高产品良率。

主权项

一种用于制造功率半导体器件的方法，包括：在半导体衬底的第一表面上形成外延层，所述半导体衬底和所述外延层均为第一掺杂类型且分别具有第一掺杂浓度和第二掺杂浓度；在所述外延层上形成栅叠层，所述栅叠层包括栅介质层和栅极导体，所述栅介质层夹在所述栅极导体和所述外延层之间；在所述外延层中形成体区，所述体区为第二掺杂类型，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反；在所述体区中形成第一掺杂区，所述第一掺杂区为所述第一掺杂类型；形成到达所述第一掺杂区的第一接触；从所述半导体衬底的第二表面对所述半导体衬底进行掺杂，使得所述半导体衬底的第一表面附近保持所述第一掺杂浓度，所述半导体衬底的第二表面附近从所述第一掺杂浓提高度至第三掺杂浓度，所述第二表面与所述第一表面彼此相对；以及在所述半导体衬底的第二表面上形成第二接触，其中，所述半导体衬底和所述外延层之间形成掺杂浓度从所述第一掺杂浓度变化到所述第二掺杂浓度的过渡区，所述第一掺杂浓度是第二掺杂浓度的5至100倍。