[发明专利]一种N型AlGaN的生长方法有效
| 申请号： | 201710688681.9 | 申请日： | 2017-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN107464862B | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 张康;陈志涛;赵维;何晨光;贺龙飞;吴华龙;刘宁炀;廖乾光 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广东世纪专利事务所有限公司 44216 | 代理人： | 刘卉 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种N型AlGaN的生长方法，采用直流磁控反应溅射设备和MOCVD设备制备并依次包括以下步骤：在蓝宝石图形化凸型衬底上溅射AlN buffer层，生长带插入层的GaN梯形台面层，生长带插入层的GaN梯形合并层，生长平坦的GaN 2D生长层，生长重掺杂的N型AlGaN生长层，在H2、NH3混合气氛下降温冷却。本发明采用梯形GaN生长方法，结合周期性类圆锥体图形的阻断作用，解决了在GaN模板内插入的AlN层易出现的大应力开裂现象，同时为后续AlGaN提前释放应力，解决了高质量重掺杂N型AlGaN的生长开裂问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 algan 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种N型AlGaN的生长方法，其特征在于包括以下步骤：（1）在蓝宝石图形化凸型衬底上溅射AlN buffer层；所述蓝宝石图形化凸型衬底为周期性类圆锥体结构的衬底，图形周期为0.8～5um，类圆锥体高度为0.2～3um，类圆锥体底面直径为0.7～4.9um，且相邻两个类圆锥体之间的衬底部分为平面蓝宝石衬底；（2）在AlN buffer层上生长带插入层的GaN梯形台面层；所述AlN buffer层位于平面蓝宝石衬底上的部分为平面buffer层，所述GaN梯形台面层是在平面buffer层上生长形成，生长结束于台面高度等于类圆锥体高度；（3）在GaN梯形台面层上生长带插入层的GaN梯形合并层；（4）在GaN梯形合并层上生长重掺杂的N型AlGaN生长层；（5）在H2、NH3混合气氛下降温冷却。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东省半导体产业技术研究院，未经广东省半导体产业技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710688681.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
