[发明专利]一种降低硅片镀膜白斑片的退火方法有效
申请号: | 201710689923.6 | 申请日: | 2017-08-14 |
公开(公告)号: | CN107394010B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 郭飞;彭平;夏中高;顾鹏 | 申请(专利权)人: | 平煤隆基新能源科技有限公司;中国平煤神马能源化工集团有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 郑州科维专利代理有限公司 41102 | 代理人: | 王理君 |
地址: | 452670 河南省许*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开一种降低硅片镀膜白斑片的退火方法,太阳能电池制备技术领域,依次包括升温、稳定、恒温、冷却四个步骤,其特征在于,所述恒温步骤的参数确定方法包括以下步骤:第一步,对刻蚀后的硅片进行退火加工,将加工所得的物料通过测试机进行方阻测试,确认退火方案可行;第二步,将第一步退火加工所得的物料进行亲水测试A,确认二氧化硅层均匀,进而确认退火方案可行;第三步,通过DOE实验B确认影响镀膜白斑片主要因子为退火温度和氧气流量,得到最佳主要因子组合值,通过方阻测试和亲水测试确定退火工艺的可行性,再通过DOE实验确定最优的因子组合值,方便操作,准确率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 降低 硅片 镀膜 白斑 退火 方法 | ||
【主权项】:
一种降低硅片镀膜白斑片的退火方法,依次包括升温、稳定、恒温、冷却四个步骤,其特征在于,所述恒温步骤的参数确定方法包括以下步骤:第一步,对刻蚀后的硅片进行退火加工,将加工所得的物料通过测试机进行方阻测试,确认退火方案可行;第二步,将第一步退火加工所得的物料进行亲水测试A,确认二氧化硅层均匀性,进而确认退火方案可行;第三步,通过DOE实验B确认影响镀膜白斑片主要因子为退火温度和氧气流量水平值,得到主要因子的最佳水平组合值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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