[发明专利]一种纯铜表面激光熔覆制备二氧化锆-碳化硼增强熔覆层的方法有效
| 申请号： | 201710689950.3 | 申请日： | 2017-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN107287592B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 战再吉;吕相哲;曹海要;王振春 | 申请（专利权）人： | 燕山大学 |
| 主分类号： | C23C24/10 | 分类号： | C23C24/10 |
| 代理公司： | 北京思格颂知识产权代理有限公司 11635 | 代理人： | 潘珺 |
| 地址： | 066004 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纯铜表面激光熔覆制备二氧化锆‑碳化硼增强熔覆层的方法，所述方法包括以下步骤：制备陶瓷复合增强熔覆粉末；待熔覆的纯铜基体的表面预处理；采用同步送粉方式，利用激光熔覆装置，使陶瓷复合增强熔覆粉末在纯铜基体的表面迅速熔凝，形成ZrO2‑B4C陶瓷增强熔覆层，将熔覆后的纯铜基体空冷至室温。本发明所获得的熔覆层，可以提高熔覆层的力学性能，最终在纯铜表面获得成分均匀性能优异的熔覆层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 激光 制备 氧化锆 碳化 增强 覆层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纯铜表面激光熔覆制备二氧化锆‑碳化硼增强熔覆层的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：A：制备陶瓷复合增强熔覆粉末；所述陶瓷复合增强熔覆粉末中各组份的量按重量百分比为：5～10％ZrO2粉、5～20％Ni包B4C粉、余量为Cu粉；所述ZrO2粉和Ni包B4C粉的质量比为1：1～2；所述ZrO2粉的粒度为25～48μm，纯度为99.9％；所述Ni包B4C的粒度为25～48μm，B4C含量为60wt.％；所述Cu粉的粒度为53～75μm，纯度为99.9％；B：待熔覆的纯铜基体的表面预处理；C：采用同步送粉方式，利用激光熔覆装置，使陶瓷复合增强熔覆粉末在纯铜基体的表面迅速熔凝，形成陶瓷增强熔覆层；D：将熔覆后的纯铜基体空冷至室温；其中步骤A和步骤B的顺序可调换。
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