[发明专利]校准质谱仪的方法有效
申请号: | 201710692151.1 | 申请日: | 2017-08-14 |
公开(公告)号: | CN107731654B | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | H-J·舒吕特;N·夸斯 | 申请(专利权)人: | 塞莫费雪科学(不来梅)有限公司 |
主分类号: | H01J49/42 | 分类号: | H01J49/42;H01J49/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 姬利永 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于校准质谱仪的方法,该质谱仪包括离子源、作为第一四极杆的第一质量分析仪、第二质量分析仪和用以检测离子的检测构件。第一四极杆在选择具有过滤器窗口宽度w的质量过滤器窗口中的质量的质量选择模式中可操作为预选择质量分析仪,其中RF电压和DC电压施加到第一四极杆的电极,RF电压的振幅为选定质量m和过滤器窗口宽度w的第一函数RF(m,w),且DC电压为选定质量m和过滤器窗口宽度w的第二函数DC(m,w)。该方法包括以下步骤:i)在第一时间t1校准第二质量分析仪,ii)在比在质量分析模式中操作第二质量分析仪的第一时间t1稍后的第二时间t2处在选择具有过滤器窗口宽度wcal的质量过滤器窗口中的质量的质量选择模式中校准第一四极杆。 | ||
搜索关键词: | 校准 质谱仪 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于校准质谱仪的方法,所述质谱仪包括离子源、作为第一四极杆的第一质量分析仪、第二质量分析仪和用以检测离子的检测构件,其中从所述离子源射出的离子可在轨道上移动到所述检测构件,通过两个质量分析仪,其中其首先通过所述第一四极杆且然后通过所述第二质量分析仪或反之亦然,所述第一四极杆在选择具有过滤器窗口宽度w的质量过滤器窗口中的质量的质量选择模式中可操作为预选择质量分析仪,其中RF电压和DC电压施加到所述第一四极杆的电极,所述RF电压的振幅为选定质量m和所述过滤器窗口宽度w的第一函数RF(m,w),且所述DC电压为所述选定质量m和所述过滤器窗口宽度w的第二函数DC(m,w),所述方法包括以下步骤:i)在第一时间t1校准所述第二质量分析仪,ii)在比在质量分析模式中操作所述第二质量分析仪的所述第一时间t1稍后的第二时间t2处在选择具有所述过滤器窗口宽度wcal的所述质量过滤器窗口中的质量的所述质量选择模式中校准所述第一四极杆,包括以下步骤:ii a)个别地针对若干选定质量mcal中的每一个确定施加到所述第一四极杆的所述电极的所述RF电压的振幅的对应值RFdet(mcal)和DC电压的值DCdet(mcal),ii b)将所述选定质量m的函数RFfit(m,wcal)适配到对应于所述若干选定质量mcal的所述RF电压的所述振幅的所述值RFdet(mcal),且将所述选定质量m的函数DCfit(m,wcal)适配到对应于所述若干选定质量mcal的DC电压的所述值DCdet(mcal),ii c)对于一些质量和/或所述若干选定质量中的至少一些mcheck,在扫描期间在所述检测构件处经由在质量分析模式中操作的所述第二质量分析仪来检测质量mcheck,所述第一四极杆在指派到所述质量mcheck的质量范围ρmass_m_check上在选择具有所述过滤器窗口宽度wcal的所述质量过滤器窗口中的质量的所述质量选择模式中操作为预选择分析仪,所述质量范围ρmass_m_check包括所述质量mcheck且大于所述第一四极杆的所述质量选择模式的所述质量过滤器窗口的所述过滤器窗口宽度wcal,施加到所述第一四极杆的所述电极的所述RF电压的所述振幅由所述函数RFfit(m,wcal)给定,且施加到所述第一四极杆的所述电极的所述DC电压由所述函数DCfit(m,wcal)给定,ii d)当施加具有由所述函数RFfit(m,wcal)给定的所述振幅的所述RF电压和由所述函数DCfit(m,wcal)给定的所述DC电压时,针对在所述检测构件处检测的质量mcheck中的每一个评估选择具有所述过滤器窗口宽度wcal的所述质量过滤器窗口中的质量的所述第一四极杆的所述质量选择模式的峰值位置Δm(mcheck)和/或过滤器窗口宽度偏差Δw(mcheck),ii e)如果在所述检测构件处检测的质量mcheck的所述峰值位置位移Δm(mcheck)和/或所述过滤器窗口宽度Δw偏差(mcheck)的所评估值并不符合所述校准的质量条件,或如果满足另一重复条件,那么重复校准步骤ii a)到ii e),在步骤ii a)中在所述第一四极杆的所述质量选择模式中使用所述函数RFfit(m,wcal)作为第一函数RF(m,w),且DCfit(m,wcal)作为第二函数DC(m,w),直至满足所述校准的所有质量条件且不满足重复条件或所述校准步骤ii a)到ii e)已经执行N次。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于塞莫费雪科学(不来梅)有限公司,未经塞莫费雪科学(不来梅)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710692151.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高稳定性钙钛矿太阳能电池
- 下一篇:一种等离激元结构衬底及其制备和应用