[发明专利]SAB层图形结构的制造方法

摘要

本发明公开了一种SAB层图形结构的制造方法，包括步骤步骤一、在硅衬底表面形成SAB层。步骤二、在SAB层表面涂布光刻胶。步骤三、光刻形成光刻胶图形定义出金属硅化物形成区域。步骤四、以光刻胶图形为掩模对SAB层进行干法刻蚀，干法刻蚀不将金属硅化物形成区域的SAB层完全去除而保留部分厚度。步骤五、在金属硅化物形成区域保留有部分厚度的SAB层的条件下去除光刻胶图形。步骤六、采用湿法刻蚀工艺将金属硅化物形成区域保留的SAB层完全去除并形成SAB层图形结构。本发明能降低工艺成本，防止光刻胶剥离以及能满足应用需求。

主权项

一种SAB层图形结构的制造方法，其特征在于,包括如下步骤：步骤一、在硅衬底表面形成SAB层；所述SAB层的厚度根据后续步骤六中的损耗的厚度进行设计且是在满足作为金属硅化物自对准掩模的厚度的基础上增加步骤六中的损耗的厚度；步骤二、在所述SAB层表面涂布光刻胶；步骤三、经过光刻工艺形成光刻胶图形定义出金属硅化物形成区域；步骤四、以所述光刻胶图形为掩模对所述SAB层进行干法刻蚀，该干法刻蚀不将所述金属硅化物形成区域的所述SAB层完全去除而保留部分厚度，防止离子轰击损伤硅衬底；步骤五、在所述金属硅化物形成区域保留有部分厚度的所述SAB层的条件下去除所述光刻胶图形，以防止步骤六湿法刻蚀过程中光刻胶剥离；步骤六、采用湿法刻蚀工艺将所述金属硅化物形成区域保留的所述SAB层完全去除并形成SAB层图形结构；所述湿法刻蚀工艺同时对所述金属硅化物形成区域外的所述SAB层进行刻蚀并损耗一定的厚度；由所述湿法刻蚀工艺后的所述SAB层作为后续形成金属硅化物的自对准掩模。